一、工藝原理：
光催化是在外界可見光的作用下發(fā)生催化作用,光催化氧化反應是以半導體及空氣為催化劑，以光為能量，將有機物降解為CO2和H2O及其它無毒無害成份。由于半導體的光吸收閾值與帶隙具有式K=1240/Eg(eV)的關(guān)系,因此常用的寬帶隙半導體的吸收波長閾值大都在紫外區(qū)域。當光子能量高于半導體吸收閾值的光照射半導體時,半導體的價帶電子發(fā)生帶間躍遷,即從價帶躍遷到導帶,從而產(chǎn)生光生電子(e-)和空穴(h+)。此時吸附在納米顆粒表面的溶解氧俘獲電子形成超氧負離子,而空穴將吸附在催化劑表面的氫氧根離子和水氧化成氫氧自由基等。


二、適用范圍：
1）城市污水站(泵站臭氣、預處理臭氣、污泥處理臭氣);
2）垃圾處理廠(收集站臭氣、分選車間臭氣);
3）涂料廠除臭/異味;
4）塑料、橡膠廠生產(chǎn)廢氣;
5）飼料加工廢氣;
6）食品飲料廠異味;
7）制藥企業(yè)除臭/異味;
三、技術(shù)特點:
1）、直接用空氣中的氧氣做氧化劑，反應條件溫和（常溫 常壓）；
2）、可以將有機污染物分解為二氧化碳和水等無機小分子；
3）、光催化塊化學性質(zhì)穩(wěn)定，氧化還原性強，成本低；